上海功成半导体

  Coolsemi的 SGT MOSFET通过采用超深沟槽设计降低导通电阻，导通损耗更低;通过屏蔽栅接源极，大大降低器件的米勒电容，提升器件的开关速度，降低系统功耗。

  Coolsemi的高压超结MOSFET通过先进的超结技术和优化结构设计，实现极低的特征导通电阻(Rdson*A)，有效提升电源的功率密度和效率。

  Coolsemi的IGBT功率器件采用沟槽栅场截止设计，降低外延层厚度以达到优异的Vcesat;通过先进的工艺设计以此来降低器件的开关损耗，提升功率密度和效率。

  Coolsemi研发的智能功率模块IPM，搭载了自主研发的高性能功率器件以及与功率器件高度匹配的驱动HVIC，集温度检测与自我保护功能于一体。

  Coolsemi的碳化硅二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）与Si二极管相比，显著优点是阻断电压提高，几乎无反向恢复以及更好的耐热性，且反向恢复特性不受温度影响。

  Coolsemi推出的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 器件采用pGaN架构，具备常关型特征，与相应的硅(Si)器件相比，具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷，结合几乎为零的反向恢复电荷，能支持更简单的拓扑结构，实现更高的系统效率。

  2023年9月20日，第三届“海聚英才”全世界创新创业峰会在上海国际会议中心隆重开幕。 上海市委书记陈吉宁，市委副书记、市长龚正，教育部副部长陈杰、上海市委副书记吴清，上海市委常委、组织部长张为等出席并主持本次会议。 功成半导体CEO徐大朋先生受邀参加本次峰会并作为上海嘉定区企业代表出席了重大人才项目集体签约仪式。 右四：功成半导体 CEO 徐大朋先生  功成半导体IPM项目启动于2021年末上海嘉定，研发团队由海外经验比较丰富的优秀人才组成，按照国际一流厂商同等标准建设模块封装测试工厂。2022年8月成功实现了第一款模块产品的量产能力。2022年11月通过了SGS颁发的ISO9001质量体系认证。量产全型号通过工业级标准性能及可靠性测试。 功成半导体的IPM模块主要有Nano、Micro、Mini、Slim等系列，均为集成驱动IC的智能功率模块。规划涵盖500V 3A到600V 30A几十种不一样的规格，全方面覆盖小家电，电动工具，水泵，白色家电，工业控制等不同场景应用。基于严格稳定的工艺管控，优化匹配的芯片方案，性能优异的封装材料，先进稳定的封装工艺，使得功成半导体推出的IPM性能高效，质量放心可靠，达到国内领先水平。

  2023年PCIM Asia 上海国际电力元件、可再次生产的能源管理展览会于 8 月 31 日在上海新国际博览中心圆满落幕。一众业界翘楚贤才、优秀厂商齐聚于这个领先亚洲的电力电子展会，一同探讨能源效率和智能运动控制领域的综合解决方案。 能源效率，节能低碳已成为全世界企业关注的焦点，而电力电子技术在能源转换中的效能和质量，直接影响着多行业多领域的节能减碳效果。光伏/风能发电储能系统、电动汽车及充电桩、工业变频控制管理系统……诸多节能降碳应用成为实现碳达峰碳中和目标的利器。而在上述应用的电子电力系统中发挥功耗控制作用的，就是小小的功率半导体器件。在此次展会上，功成半导体以“持续推动半导体器件革新，提升能源利用效率”为主题，分别展示了Elite MOSFET、高压高频IGBT、IPM、SiC、GaN等产品，以全面、多样化的产品向业界展示高能效产品解决方案，展台吸引了行业研发技术专家、采购人士驻足交流。 在新能源领域，功成半导体推出的Elite MOSFET功率器件适用于交流/直流转换器功率级。产品全系列覆盖10kW-40kW充电桩应用，特殊的沟道设计和优化结构，减小了二极管的电荷储存效应，使其具有优秀的反向恢复特性。低导通电阻实现较低的导通损耗，因此，Elite MOSFET可以在更高的开关频率下工作，具有更高的转换效率和更少的废热。 功成半导体高压高频IGBT系列，覆盖650/ 750/ 950/ 1200/ 1700V 电压等级，因其具有高可靠性、低损耗、开关频率快、抗冲击能力强等优点，适用于直流快充PFC拓扑中。 功率器件作为光伏逆变器核心的器件之一，功成半导体针对光伏逆变、储能市场提供一系列的功率器件解决方案。

  尊敬的客户&合作伙伴们 PCIM Asia是亚洲领先的电力电子展会，以其一如既往的专业性、全面的产品品种类型，吸引国内外专家、电力电子展商齐聚一堂， 展示电力电子、智能运动、可再次生产的能源及能源管理前沿技术产品及案例分享，聚焦电力电子关键应用领域的解决方案。 此次盛会将于8月29日至31日在上海新国际博览中心举行。 一如既往，功成半导体将携高效的功率器件组合产品及应用方案亮相PCIM Asia 2023。 上海国际电力元件、 可再次生产的能源管理展览会 PCIM Asia 2023 2023年8月29-31日 展位号：W2馆 2E12 中国·上海新国际博览中心 功率驱动，赋能新未来 在此，我们诚挚地邀请您莅临 PCIM Asia 2023 展览会，到上海新国际博览中心W2馆2E12展位参观、洽谈交流。 * 我们为打卡观众准备了清凉小福利一份 欢迎各位扫描下方二维名注册 主推产品前瞻 01 Elite MOSFET(SGT) 拥有S1、S2系列 全系列覆盖30V~250V 电压平台 采用超深沟槽设计以及匹配更高掺杂浓度的外延 更低的导通电阻、更快的开关速度和更低的损耗 应用：开关电源、电池保护、手机快充、电机驱动、数据中心、储能、微逆、汽车电子等领域 02 Elite MOSFET(SJ) 基于华虹宏力Deep-Trench工艺平台  覆盖200V~1000V 电压平台，4mΩ~4000mΩ导通电阻  开关速度快、反向恢复时间短、开关损耗少、EMI兼容性、高可靠性的独特优化设计 应用：充电桩、工业电源、5G通讯、光伏储能、微逆、车载电源等，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域大范围的应用 03 高压高频IGBT 采用目前业内Trench FS工艺  成熟量产3um，2.4um pitch 6-100A产品 全力开发1.6um 100-200A产品  覆盖 650/ 750/ 950/ 1200/ 1700V 电压等级  全系列提供较低导通压降和开关损耗，抗冲击能力强，着力优化IGBT大电流并联特性 应用：直流充电桩、光伏储能、汽车热管理、车载电源等领域 04 IPM智能功率模块 集成Trench FS工艺的高性能IGBT功率芯片、低损耗、耐冲击、高短路耐量、高可靠性 特性领先的扩铂工艺MOSFET功率芯片、低损耗、优越的反向恢复特性、高可靠性 集成与功率芯片高度匹配的成熟工艺驱动IC，最大限度优化的开关损耗及EMI水平 集成上下桥互锁、温度输出、欠压保护、过流保护、报错输出等多项功能、及时高效保护 成熟先进严格管控的封装工艺，工业标准可靠性保证 500V~600V，3A~50A规格的成熟产品，聚焦高性能电机驱动应用，覆盖小家电、白色家电、商用变频机器等变频控制市场，展望机器人到汽车电子的未来方向 05 SiC MOSFET 元胞面积小，采用独特的排列方式； 结电容小，开关速度快、损耗低，完美适配高频应用场景； 体二极管VF低，反向恢复损耗低，适合作为SiC MOSFET的续流二极管使用 若您想寻找更多应用、产品信息或 想联系我们买产品 欢迎扫描二维码填写您的个人隐私信息及需求， 我们将安排专人后续跟进。

  7月11日-7月13日，为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕！炎炎夏日，也抵挡不住大家观展的热情。 本次展会聚焦新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网+、智能可穿戴、工业互联网、无线通信、数据中心、智能家居等技术话题，覆盖从电子设计到人机一体化智能系统全产业链。 功成半导体展台现场人气火爆，让我们一起重温展会盛况吧！ 携五大产品线全面亮相 在本次展会上，功成半导体携五大核心产品线——Elite MOSFET (SGT、SJ)、IGBT、IPM和SiC器件全面亮相，全方位展示了功成半导体高性能产品及应用方案。 针对不同应用领域设置了专门展示区域，让参会观众和行业伙伴更加直观地了解到功成半导体针对消费电子、新能源、数据中心、汽车电子等重点领域所推出的高性能产品和应用方案。 Elite MOSFET (SGT) 极低 FOM（Ron x Qg），系统效率高 多颗并联应用一致性好，抗短路能力强，过电流能力大 更小的封装尺寸，应用体积小 Elite MOSFET (SJ) 高EAS性能、高耐压性能 优化的器件开关特性，效率高，振荡小 优异的反向恢复特性，提升系统可靠性 IGBT 高频F系列-开关损耗小，高频应用效率高 L系列导通压降低，短路电流能力10us 车规级AECQ101认证 IPM 高度集成，高可靠性，低综合损耗，在较低功率的变频驱动中表现优异 集成欠压、过流、过温等各种保护功能，工规级可靠性验证标准，稳定可靠 高绝缘，易导热，封装紧凑，布局灵活，使用起来更便捷 SiC 开关速度快，无反向恢复电流 高耐压，更小的导通电阻并且满足小尺寸封装 器件的驱动损耗，开关损耗更低，逐步提升功率密度 聚焦重点应用领域 功成半导体作为一家Fabless模式的高端功率芯片设计企业，一直致力于半导体功率器件的研发与产业化，以优异的器件性能和完善的客户服务，实现用户高性能要求。在本次展会上，功成半导体也派出优秀精干的业务、FAE和产品技术团队，为技术、采购专家、企业决策者专业而热情的解答产品性能及应用问题。 展台现场持续三天人气火爆 精彩永不结束 2024 慕尼黑上海电子展再见！

  慕尼黑上海电子展将于7月11-13日在上海国家会展中心举办。展会汇聚国内外优质电子企业加入，打造从产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台。功成半导体将在7.2号馆A616亮相，携多款拳头产品和应用方案登场，我们在此诚挚邀您莅临功成半导体展台参观与交流。 展会信息 日期：2023年7月11-13日 地点：上海·国家会展中心 展位号：7.2号馆 A616  展位示意图 展位效果图 展品信息 Elite MOSFET 30V~250V SGT 功成的中低压SGT MOS，采用超深沟槽设计以及匹配更高掺杂浓度的外延，依托于国内成熟的8寸/12寸晶圆生产线，获得更低的比导通电阻、更快的开关速度和更低的损耗。目前的SGT 产品拥有S1、S2、C1、D1、M1等系列，覆盖30V~250V的全系列电压平台，产品面向消费、通信、工业、汽车等领域，大范围的应用于开关电源、电池保护、手机快充、电机控制、数据中心、太阳能光伏、汽车电子等细分市场。 Elite MOSFET 200V~1000V SJ 功成的高压SJ  MOSFET，在Deep-Trench工艺平台上，采用独特器件结构及特色工艺，开发出了覆盖200V~1000V电压平台和14mΩ~4000mΩ导通电阻的G1、G2、G3、G4、G5系列新产品。凭借针对开关速度、反向恢复时间、开关损耗、EMI兼容性、高可靠性的独特优化设计，产品不仅在充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域大范围的应用。 高压高频IGBT 650V~1700V 功成的IGBT采用目前业内Trench FS工艺，依托于国内成熟的8寸/12寸晶圆生产线A产品，全力开发1.6um 100-200A产品，全系列提供较低导通压降和开关损耗，着力优化IGBT大电流并联特性。目前功成IGBT产品根据应用场景包括L、D、S、F、U、HF、R等系列，覆盖650/750/950/1200/1350/1700V的电压等级，聚焦应用于直流充电桩、光伏储能、汽车热管理、车载电源等领域。 智能功率模块IPM 500V~600V IPM产品线基于大批量出货的成熟MOSFET, IGBT, Gate Driver产品，自主研发，主要有Nano、Micro、Mini系列，封装形式有SOP23，DIP23， DIP25，DIP24，产品应用于空调风机、压缩机、变频油烟机、冰箱、洗衣机、洗碗机、高速风筒、变频风扇、通用变频控制等市场。 SiC器件650V~1700V 功成所设计的第二代SiC MOSFET采用独特的元胞排列设计，大幅优化了芯片面积。该产品结电容较小，结合衬底减薄、激光退火等工艺，可实现开关速度快、损耗低的特性，适合高功率、高温、高频等多种高端应用场景。 关于功成半导体 公司聚焦新能源、数据中心、汽车电子、智能家电以及高端消费电子领域，产品已应用于直流充电桩、通信电源、服务器电源、便携式储能、户用储能、光伏逆变器、车载PTC等细分市场。身披多元化产品铠甲，功成半导体的产品目前已成功进入多家有名的公司的供应链体系。公司与国内领先的晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的ISO9001质量管理体系，确定保证产品的持续优质和稳定供货。